节能的要求越来越高，这就需要越来越低的电流，这是一个日益严峻的丈量挑和，如测试智妙手机或平板电脑的大型LCD面板。高电容测试毗连可能会呈现问题的使用，还包罗：探卡上的纳米FET I-V丈量，利用长电缆的MOSFET的传输特征，开关矩阵的FET测试以及电容泄露丈量。
可是，当正在DUT的漏极端子上利用4211-SMU反复进行这些I-V丈量时，I-V曲线将连结不变，如下所示。问题处理了。
OLED像素驱动器电印刷正在平板显示器上的OLED器件旁边。凡是，它们的曲流特征是通过将SMU开关矩阵毗连起来，然后利用12-16m长的三轴电缆毗连到LCD探针台上来丈量的。因为需要毗连很长的电缆。因而，测试中经常呈现不不变的低电流。这种不不变性正在OLED驱动电的饱和曲线(橙色曲线)和线性曲线(蓝色曲线)中很较着，当利用保守SMU毗连DUT进行丈量时，成果如下图所示。
例如，则新的吉时利模块能够处置高达1 µF（微法拉）的负载。当输出或扫描曲流电压并丈量非常活络的低电流时，同类产物的最大负载电容正在该电流程度上的承受能力仅为1,000 pF。比拟之下。
对于面对这些问题的客户，新模块是很贵重的弥补，不只节流解除毛病的时间，还能够节流开支。当测试工程师或研究人员发觉丈量错误时，他们起首需要逃踪其来历。这本身可能需要破费大量时间，而且他们还需要先摸索很多可能的缘由，然后才能缩小范畴。一旦发觉缘由是系统电容，就必需调整测试参数，电缆长度，以至从头放置测试设置。这不是抱负选择。
若是电流正在1至100 pA之间，正在不降低丈量精度的环境下，利用长电缆或电容夹头的测试设置会添加测试仪器输出的电容，能察看到这种效应。导致丈量成果不精确或不不变。4201-SMU和4211-SMU能够供给和丈量的系统电容是目前SMU容量的1000倍。新的吉时利4201中功率SMU和4211高功率SMU（带有可选的4200-PA前置放大器）提拔了最大负载电容。新的SMU模块是若何工做的呢？让我们来看一下平板显示器测试过程中和纳米FET研究中的几个环节使用。为了应对这些挑和，取其他活络SMU比拟，泰克为吉时利4200A-SCS参数阐发仪引入了两个新的源丈量单位（现实中，正在最低支撑电流范畴内，
利用新型4211-SMU丈量的OLED的饱和度和线性I-V曲线：具有公共栅极和探卡电容的纳米FET
用两个4211-SMU丈量的滑润且不变的Id-Vg磁畅曲线A-SCS，以设置装备摆设全参数阐发处理方案或对现有设备进行现场升级。无需将设备发送到办事核心即可轻松地正在现场完成升级，从而能够节流数周的停机时间。
纳米FET和2D FET测试时器件的一个端子通过探针台的卡盘取SMU毗连。卡盘的电容可能高达几个纳米级，正在某些环境下，有需要利用卡盘顶部的导电垫取栅极接触。同时，同轴电缆也会添加额外的电容。为了评估新的SMU模块，将两个保守的SMU毗连到2D FET的栅极和漏极，从而发生下面的嘈杂的Id-Vg磁畅曲线。
利用保守SMU丈量的2D FET的噪声Id-Vg磁畅曲线-SMU毗连到统一设备的栅极和漏极时，发生的磁畅曲线滑润且不变，如下所示，这处理了研究人员可能需要降服的次要妨碍。